5pcs IRF540N MOSFET transistor 100V 33A 130W TO220 - pack de 5 unitats
Marca: satkit
IVA inclòs (Sense IVA: 1,40 €)
El pack de 5pcs IRF540N MOSFET Transistor 100V 33A 130W TO220 és un conjunt de transistors MOSFET de canal N dissenyats per a aplicacions electròniques que requereixen alta eficiència i capacitat de gestió de corrent i voltatge.
Característiques principals:
- Categoria: N-Canal MOSFET
- Voltaje máximo: 100V
- Corriente máxima: 33A
- Resistencia interna (Rds(on)): 44mΩ
- Voltaje de la puerta: 20V
- Tiempo de conmutación: 35ns (ascenso y descenso)
- Disipación de potencia: 130W
- Encapsulado: TO-220
- Rango de temperatura de funcionamiento: -55°C a 175°C
Usos típicos:
- Control de motors elèctrics en projectes DIY i professionals.
- Amplificadors de potència i fonts d'alimentació commutades.
- Interruptors electrònics per a càrregues d'alta intensitat.
- Aplicacions en robòtica i sistemes encastats que requereixen alta eficiència.
Compatibilitat: Aquest transistor és compatible amb circuits que operen dins de les seves especificacions elèctriques, especialment en projectes que requereixin un MOSFET de canal N amb alta capacitat de corrent i voltatge.
Aquest pack de 5 unitats permet tenir recanvis o implementar diversos circuits simultàniament, garantint un rendiment fiable i durador gràcies al seu encapsulat TO-220 que facilita la dissipació tèrmica.
- Pack de 5 transistors IRF540N MOSFET de canal N
- Voltatge màxim de 100V per a aplicacions exigents
- Intensitat màxima de 33A per a càrregues altes
- Baixa resistència interna de 44mΩ per a més eficiència
- Dissipació de potència de 130W per a ús prolongat
- Encapsulat TO-220 per a una millor dissipació tèrmica
- Temps de commutació ràpid de 35ns
- Temperatura de funcionament de -55°C a 175°C
Preguntes i respostes dels clients
Quines precaucions d’instal·lació cal tenir per evitar danys per sobreescalfament o sobrecorrent al IRF540N?
Per evitar danys, és fonamental assegurar una dissipació de calor correcta utilitzant un dissipador adequat si la dissipació supera 2 W, i respectar els límits: màx. 100 V drenador-font, 33 A continus i 130 W de potència. A més, cal evitar pics que superin el voltatge de porta de 20 V i protegir-lo de descàrregues electrostàtiques abans de la instal·lació.
Amb quins tipus de senyals de control i circuits de lògica és compatible la porta del IRF540N?
El IRF540N necessita típicament una tensió de porta d’almenys 10 V per a una conducció eficient, tot i que pot començar a activar-se des de 2-4 V (Vgs(th)). Funciona bé amb controladors MOSFET o circuits lògics amb etapa d’adaptació; no és recomanable connectar-lo directament a microcontroladors de 3.3 V sense un driver intermedi.
Quin tipus de protecció o normes de seguretat ha de complir la instal·lació d’aquests MOSFET en sistemes industrials?
En sistemes industrials, la instal·lació ha de contemplar protecció contra sobrecàrregues (fusibles o disjuntors), supressió de transitoris (díodes flyback o varistors), i complir normatives com IEC 60950 (seguretat elèctrica) i ESD (protecció contra descàrregues electrostàtiques) per assegurar una operació segura i la durabilitat del component.
Per a què serveix el transistor IRF540N MOSFET?
L'IRF540N és un transistor MOSFET de canal N utilitzat per controlar càrregues elèctriques d'alta intensitat i voltatge en circuits electrònics, com motors, amplificadors i fonts d'alimentació.
Quantes unitats inclou aquest pack?
Aquest pack inclou 5 unitats del transistor IRF540N MOSFET.
Quin és l'encapsulat de l'IRF540N?
L'IRF540N ve en encapsulat TO-220, que facilita la dissipació tèrmica i el seu muntatge en circuits.
Quin és el voltatge i la intensitat màxima que suporta aquest transistor?
El transistor suporta un voltatge màxim de 100V i una intensitat màxima de 33A.
És adequat per a projectes que requereixen alta dissipació de potència?
Sí, aquest transistor té una dissipació de potència màxima de 130W, ideal per a aplicacions que requereixen gestió de potència elevada.